RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
13.6
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2097
2292
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Confronto tra le RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link