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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
56
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
30
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
3564
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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