RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3614
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link