RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 15.8
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 46
    周辺 -59% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3614

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAMの比較

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
AMD AE34G1339U2 4GB
AMD AE34G1339U2 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
メモリRAM