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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 60
    周辺 23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 1,221.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 2,347.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 1,221.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 421

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