A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 60
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,061.2 left arrow 1,221.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 60
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,937.3 left arrow 2,347.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,061.2 left arrow 1,221.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    759 left arrow 421
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения