A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Punteggio complessivo
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 46
    Intorno -39% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 6400
    Intorno 4 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,937.3 left arrow 18.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    759 left arrow 3341
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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