A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Note globale
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 46
    Autour de -39% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 6400
    Autour de 4 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    46 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,937.3 left arrow 18.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    759 left arrow 3341
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons