RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
101
Intorno 74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
101
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1382
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link