RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
101
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
101
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1382
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link