RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2462
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link