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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
70
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
70
Velocità di lettura, GB/s
12.4
9.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
1363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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