RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905668-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
70
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
70
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
9.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link