RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
62
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
33
Velocità di lettura, GB/s
7.4
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link