RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link