RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
62
Intorno -182% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
22
Velocità di lettura, GB/s
7.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Mushkin 996902 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link