RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link