RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
31
Velocità di lettura, GB/s
8.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link