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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston XF875V-HYA 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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