RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
35
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link