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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
48
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.9
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
5.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
48
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
5.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1344
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparações de RAM
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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