RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
33
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link