RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link