RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 6.9
    Среднее значение в тестах
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 6.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2312

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
модули RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
модули RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
модули RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
модули RAM