RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
37
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
2808
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link