RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2808
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link