RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2144
2654
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMT16GX3M4X2133C9 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link