RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
12.9
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2229
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link