RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2229
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link