Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB

Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    44 left arrow 64
    Intorno -45% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 6.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 5.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    64 left arrow 44
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.7 left arrow 12.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.0 left arrow 7.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1260 left arrow 1977
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti