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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
64
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
6.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
64
44
Velocidade de leitura, GB/s
6.7
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1260
1977
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 8GB
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