RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
71
Intorno 63% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
71
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
1757
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link