RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1757
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link