RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link