RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
33
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3224
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link