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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
36
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
22
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2633
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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