RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2633
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link