RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
64
Intorno -129% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
28
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2417
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link