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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
13
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
13.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2079
1932
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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