RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
13
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2079
1932
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link