RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
61
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3330
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link