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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Motivi da considerare
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
71
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
27
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
9.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
1767
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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