RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1767
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link