RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
71
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
32
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3064
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link