RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3064
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link