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PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
27
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
21
Velocità di lettura, GB/s
13.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2801
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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