RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation T 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
13.8
18.0
写入速度,GB/s
8.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2801
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link