RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2947
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link