RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
67
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
67
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2042
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link