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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
11.4
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2066
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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